400-003-5559
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1. MOS管描述
MOS管还称之为场效应管，在集成电路中绝缘性场效应管。在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和
金属，形成栅极。MOS管的source和drain都是在P型backgate中形成的N型区，他们是可以对调的
2. MOS管结构特点
单极型晶体管导通时只有一种极性的载流子参与导电，导电机理与小功率MOS管相同，结构上有所区别，
小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET通常采用垂直导电结构，提高了MOSFET器件的耐压和耐电
流能力。
主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，所以具有很高的输入电阻，导通时在两个高
浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于
阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。
3.1MOS管的输入&输出特性
共源极接法的电路，源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为0。
3.2MOS管的导通特性
MOS管为开关元件，工作在截止或导通两种状态。MOS管是电压控制元件，主要由栅源电压uGS决定它的工
作状态
PMOS的特性：Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况。但由于导通电阻大，价格较高等
原因，在高端驱动中，一般会用NMOS。
NMOS的特性：Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况，栅极电压达到4V或10V就可以
4. MOS管工作原理
(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成
的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，所以漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
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